Geht es in der Technikwelt um neue Errungenschaften, ist Fujitsu stets vorn dabei. So auch mit dem neuen Fujitsu 8-Mbit-FRAM, der als nichtflüchtiger Speicher den bisher verwendeten SRAM ablösen könnte.
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Neuer Fujitsu 8-Mbit-FRAM: Ideal für Industrieanwendungen
In Industrieanlagen kommt es auf die Leistungsfähigkeit der verwendeten Speicher an. Dabei spielen sowohl die Lese- als auch die Schreibgeschwindigkeit der Speicher eine Rolle. Diese sollte so hoch wie möglich sein, dabei wenig Betriebs- und Gesamtstrom verbrauchen. Bisher wird das durch SRAM gewährleistet, nun soll der neue Fujitsu 8-Mbit-FRAM übernehmen. Für Industrieanwendungen wäre er aufgrund seiner herausragenden Eigenschaften ideal.
Er verbraucht bis zu 10 Prozent weniger Betriebsstrom und soll bis zu 30 Prozent schneller sein. Bis zu 100 Trillionen Lese- und Schreibzyklen sollen möglich sein, was bisher noch keinem anderen FRAM gelungen ist. Bisher scheint sich die Annahme, dass der Fujitsu 8-Mbit-FRAM ein leistungsfähiger Ersatz für den bisher verwendeten SRAM sein könnte, zu bestätigen.
Kundenwünsche im Fokus
Mit dem neuen Fujitsu 8-Mbit-FRAM sollen vor allem die Wünsche der Kunden umgesetzt werden, die sich eine hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeit sowie einen schnellen Fast-Page-Modus gewünscht haben. Letzterer liegt beim 8-Mbit-FRAM bei bis zu 25 Nanosekunden.
Der nichtflüchtige Speicher ist bereits seit mehr als 20 Jahren im Einsatz, die aktuelle Version daher keine komplette Neuheit auf dem Markt. Doch diese bisherigen Lösungen berücksichtigten nicht die Wünsche der Kunden, die sich vor allem auf die hohe Betriebsgeschwindigkeit sowie auf den niedrigen Stromverbrauch fokussierten.
Darum ist wichtig zu wissen: FRAM ist keine neue Lösung, doch die aktuelle Version von Fujitsu ist eben doch ein Novum.
Zu erwähnen ist dabei auch der weite Spannungsversorgungsbereich, der von 1,8 bis 3,6 Volt reicht. Damit werden die Kundenwünsche komplett umgesetzt, sodass der Fujitsu 8-Mbit-FRAM nicht nur ein leistungsfähiges, sondern vor allem ein anwendungs- und kundenfreundliches Produkt ist. Nicht zu vergessen ist dabei der niedrige Stromverbrauch im Stand-by, denn hier benötigt der FRAM nur 150 µA. Bisherige Speichermodelle lagen gerade in diesem Punkt deutlich höher und verbrauchten im Stand-by-Modus bis zu 300 µA.
Vorteilhaft für den Anwender dürfte zudem der Fakt sein, dass keine Datenpufferbatterie mehr benötigt wird, wie sie noch im SRAM Standard ist. Zugleich müssen Schnittstellen- und PCB-Design nicht geändert werden, damit eine möglicherweise schlechtere Speicherfähigkeit ausgeglichen wird. Der Fujitsu 8-Mbit-FRAM dürfte damit auf ganzer Linie überzeugen. Der FRAM erweist sich in der Evaluierung als ideal für den Einsatz in Industrieanlagen, bei denen Präzision und Leistungsfähigkeit konform gehen müssen.
Video: Fujitsu Launches New 8Mbit FRAM Guaranteeing Writing Endurance up to 100 Trillion Times
Über das Unternehmen
Die Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited arbeitet an nichtflüchtigen und hochleistungsfähigen Speichern, die mittlerweile in verschiedenen Versionen auf dem Markt erhältlich sind und in der Praxis eingesetzt werden. Das Unternehmen setzt vor allem auf Kundenzufriedenheit und auf ein breites Netzwerk für Entwicklung und Vertrieb der hochwertigen Speicher. Außerdem gehört die umweltverträgliche Produktion von Speichern zu den erklärten Unternehmenszielen. Der CO2-Ausstoß soll möglichst gering sein, das letztendlich zu erreichende Ziel ist die CO2-Neutralität.
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